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Estudio termodinámico de los procesos de transporte en semiconductores: cuasineutralidad, rectificación del flujo de carga y efectos de escala

dc.rights.licensehttp://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0 - Atribución-NoComerciales_MX
dc.contributorFEDERICO VAZQUEZ HURTADOes_MX
dc.contributor.authorVICTOR HERNANDEZ GARCIAes_MX
dc.contributor.otherdirector - Directores_MX
dc.coverage.spatialMEX - Méxicoes_MX
dc.date2023-11-27
dc.date.accessioned2024-02-16T15:15:19Z
dc.date.available2024-02-16T15:15:19Z
dc.identifier.urihttp://riaa.uaem.mx/handle/20.500.12055/4437
dc.descriptionEl estudio de transporte de calor y carga en semiconductores tiene sus orígenes alrededor de la primera mitad del siglo XIX, con los trabajos pioneros de Fourier, Ohm y Fick sobre la conducción de calor, la conducción de electricidad y los fenómenos de difusión respectivamente, sin embargo, aún hoy en día prácticamente 200 años después, cobran cada vez más relevancia los estudios de transporte debido al desarrollo de la tecnología y consecuentemente el surgimiento de nuevos sistemas de estudio como lo son las películas delgadas de apenas unos pocos nanómetros de espesor, sistemas nanoestructurados o multicapa en la nanoescala, los cuales han permitido descubrir el importante papel de distintos fenómenos (trampas de calor, rectificación térmica, captura de luz, etc.) en las escalas mencionadas, no solo en un sentido teórico o experimental, sino también en un sentido industrial y comercial. Conocer los mecanismos involucrados en el transporte de calor y carga en semiconductores u otros materiales puede ayudar a desarrollar nuevos y mejores dispositivos termoeléctricos o de conversión de energía, así como mejorar el desempeño y la eficiencia de los existentes. Para lograr estos propósitos, diferentes modelos de transporte han sido derivados a partir de la termodinámica irreversible lineal o de la termodinámica estadística u otros marcos teóricos, tales modelos han sido una herramienta de gran valor que se van acercando a una descripción más completa, detallada y precisa de los fenómenos de transporte. Desde mediados del siglo pasado se han hecho importantes contribuciones al estudio de los fenómenos de transporte, por ejemplo el estudio teórico de uniones p-n en semiconductores y transistores [1], o el de la estadística de la recombinación de electrones y huecos [2], o las condiciones físicas que simplifican las ecuaciones de transporte como la condición de cuasineutralidad y el modelo de transporte ambipolar [3].es_MX
dc.formatpdf - Adobe PDFes_MX
dc.languagespa - Españoles_MX
dc.publisherEl autores_MX
dc.rightsopenAccess - Acceso Abiertoes_MX
dc.subject7 - INGENIERÍA Y TECNOLOGÍAes_MX
dc.subject.other33 - CIENCIAS TECNOLÓGICASes_MX
dc.titleEstudio termodinámico de los procesos de transporte en semiconductores: cuasineutralidad, rectificación del flujo de carga y efectos de escalaes_MX
dc.typedoctoralThesis - Tesis de doctoradoes_MX
uaem.unidadCentro de Investigación en Ciencias (CInC) - Instituto de Investigación en Ciencias Básicas y Aplicadas (IICBA) - Centro de Investigación en Ciencias (CInC) - Instituto de Investigación en Ciencias Básicas y Aplicadas (IICBA)es_MX
uaem.programaDoctorado en Ciencias - Doctorado en Cienciases_MX
dc.type.publicationacceptedVersiones_MX
dc.audienceresearchers - Investigadoreses_MX
dc.date.received2024-01-26


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    Se trata de tesis realizadas por estudiantes egresados de programas de posgrado de nuestra institución.

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