| dc.rights.license | http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0 - Atribución-NoComercial | es_MX |
| dc.contributor | AUGUSTO DAVID ARIZA FLORES | es_MX |
| dc.contributor.author | CRISTIAN ALFREDO OSPINA DE LA CRUZ | es_MX |
| dc.contributor.other | colaborador - Colaborador | es_MX |
| dc.coverage.spatial | MEX - México | es_MX |
| dc.date | 2021-08-03 | |
| dc.date.accessioned | 2021-11-08T20:19:18Z | |
| dc.date.available | 2021-11-08T20:19:18Z | |
| dc.identifier.uri | http://riaa.uaem.mx/handle/20.500.12055/1883 | |
| dc.description | Abstract
Layered optical devices with a lateral gradient can be fabricated through electrochemical
synthesis of porous silicon (PS) using a position dependent etching
current density j(rk). Predicting the local value of j(rk) and the corresponding
porosity p(rk) and etching rate v(rk) is desirable for their systematic design. We
develop a simple analytical model for the calculation of j(rk) within a prism
shaped cell. Graded single layer PS samples were synthesized and their local calibration
curves p vs. j and v vs. j were obtained from our model and their re
ectance
spectra. The agreement found between the calibration curves from di erent
samples shows that from one sample we can obtain full calibration curves which
may be used to predict, design, and fabricate more complex non-homogeneous
multilayered devices with lateral gradients for manifold applications. | es_MX |
| dc.description | Resumen
Dispositivos opticos en capas con un gradiente lateral pueden fabricarse mediante
s ntesis electroqu mica de silicio poroso (Si-p) usando una corriente de grabado
cuya densidad j(rk) es dependiente de la posici on. Predecir un valor local de j(rk),
la porosidad correspondiente p(rk) y la velocidad de ataque v(rk) es deseable para
un dise~no sistem atico. Desarrollamos un modelo anal tico sencillo para calcular
j(rk) dentro de una celda en forma de prisma. Sintetizamos y caracterizamos
muestras de Si-p de una sola capa, obtuvimos sus curvas de calibraci on locales p
vs. j y v vs. j a partir de nuestro modelo y los espectros de re
ectancia de las
muestras fabricadas. La concordancia encontrada entre las curvas de calibraci on
de diferentes muestras nos demuestra que a partir de una sola muestra podr amos
obtener curvas de calibraci on completas que pueden usarse para predecir, dise~nar
y fabricar dispositivos multicapa no homog eneos m as complejos con gradientes
laterales para m ultiples aplicaciones. | es_MX |
| dc.format | pdf - Adobe PDF | es_MX |
| dc.language | spa - Español | es_MX |
| dc.publisher | El autor | es_MX |
| dc.rights | openAccess - Acceso Abierto | es_MX |
| dc.subject | 7 - INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA | es_MX |
| dc.subject.other | 33 - CIENCIAS TECNOLÓGICAS | es_MX |
| dc.title | Modelo analítico para la síntesis de estructuras de silicio poroso con gradientes laterales | es_MX |
| dc.type | doctoralThesis - Tesis de doctorado | es_MX |
| uaem.unidad | Centro de Investigación en Ingeniería y Ciencias Aplicadas (CIICAP) - Centro de Investigación en Ingeniería y Ciencias Aplicadas (CIICAP) | es_MX |
| uaem.programa | Doctorado en Ingeniería y Ciencias Aplicadas - Doctorado en Ingeniería y Ciencias Aplicadas | es_MX |
| dc.type.publication | acceptedVersion | es_MX |
| dc.audience | researchers - Investigadores | es_MX |
| dc.date.received | 2021-08-09 | |
