| dc.rights.license | http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0 - Atribución-NoComercial | es_MX |
| dc.contributor | VIVECHANA AGARWAL | es_MX |
| dc.contributor.author | REYNA ANAHI FALCON CASTREJON | es_MX |
| dc.contributor.other | director - Director | es_MX |
| dc.coverage.spatial | MEX - México | es_MX |
| dc.date | 2019-10-15 | |
| dc.date.accessioned | 2021-08-30T20:11:35Z | |
| dc.date.available | 2021-08-30T20:11:35Z | |
| dc.identifier.uri | http://riaa.uaem.mx/handle/20.500.12055/1822 | |
| dc.description | RESUMEN
Debido a que el VO2 presenta una transición de fase reversible
semiconductor-metal a 68°C, dicho material ha sido investigado para
diferentes aplicaciones. El siguiente trabajo se centra en el estudio de la
disminución de la temperatura de transición del VO2, mediante el depósito de
Oxalato vanadil puro y dopado con nanopartículas de TiO2, sales de Mo y Eu,
sobre sustratos de silicio poroso nanoestructurado y silicio cristalino,
utilizando el método de spin coating. Películas homogéneas de VO2 fueron
obtenidas después de 1 h en tratamiento térmico a 450°C en un flujo
constante de nitrógeno. La solución precursora fue preparada por el método
de síntesis por solución química.
La morfología superficial y propiedades de transición de fase del VO2 se
investigaron mediante espectroscopía Raman, microscopio electrónico de
barrido (SEM) y espectroscopía de infrarrojo cercano en función de la
temperatura. Los resultados indicaron el efecto de porosidad superficial del
silicio poroso sobre las propiedades del VO2, mostrando cambios
significativos sobre la cristalinidad, pero el dopaje afectó notablemente la
morfología de las películas conduciendo a variadas propiedades mostradas
en el ancho de la histéresis. Particularmente, la temperatura del VO2
disminuye al aumentar la concentración de dopaje, demostrando que la
temperatura de transición puede ser controlada variando el dopaje y la
superficie donde el material es depositado. | es_MX |
| dc.description | ABSTRACT
VO2 has a semiconductor-metal reversible transition phase at 68 ° C, this
material has been used for several applications. This work focuses on, the
study of decrease in VO2 transition temperature, by depositing pure vanadil
oxalate and doped with TiO2 nanoparticles, molybdenum and europium salts
on nanostructured crystalline and porous silicon substrates, using spin
coating. Homogeneous VO2 films were obtained at 450 ° C with a constant
nitrogen flow in 1 hr. VO2 precursor was prepared by the chemical synthesis
method [4]. Surface morphology and phase transition properties of VO2 were
investigated by scanning electron microscopy (SEM) and near infrared
spectroscopy as a function of temperature. Results indicated the effect of
surface porosity of the porous silicon on VO2 properties showing significant
changes on the crystallinity, but doping significantly affected the morphology
of the films leading to varied properties shown in hysteresis width. In
particular, VO2 temperature decreases with increasing doping concentration
demonstrating that transition temperature can be controlled by varying doping
and surface where the material is deposited. | es_MX |
| dc.format | pdf - Adobe PDF | es_MX |
| dc.language | spa - Español | es_MX |
| dc.publisher | AUTOR | es_MX |
| dc.rights | openAccess - Acceso Abierto | es_MX |
| dc.subject | 7 - INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA | es_MX |
| dc.subject.other | 33 - CIENCIAS TECNOLÓGICAS | es_MX |
| dc.title | Efecto de dopante y la porosidad del sustrato sobre las propiedades termocrómicas del vo2 | es_MX |
| dc.type | masterThesis - Tesis de maestría | es_MX |
| uaem.unidad | Instituto de Investigación en Ciencias Básicas y Aplicadas (IICBA) - Instituto de Investigación en Ciencias Básicas y Aplicadas (IICBA) | es_MX |
| uaem.programa | Maestría en Ingeniería y Ciencias Aplicadas - Maestría en Ingeniería y Ciencias Aplicadas | es_MX |
| dc.type.publication | acceptedVersion | es_MX |
| dc.audience | researchers - Investigadores | es_MX |
| dc.date.received | 2019-11-12 | |
